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安装类型	表面贴装
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 6.2 x 2.4mm
典型关断延迟时间	23 ns
典型接通延迟时间	6 ns
典型输入电容值@Vds	188 pF@ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	9.5 nC @ 10 V
封装类型	DPAK
高度	2.4mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.2mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh
引脚数目	3
最大功率耗散	50 W
最大连续漏极电流	3.3 A
最大漏源电压	650 V
最大漏源电阻值	1.8 Ω
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±25 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• STD3NM60N N-channel Power MOSFET Data Sheet