STD3NM60N,783-2905,STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NM60N, 3.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NM60N, 3.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
STD3NM60N
库存编号:
783-2905
STMicroelectronics STD3NM60N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STD3NM60N产品详细信息

N 通道 MDmesh?,600V/650V,STMicroelectronics

STD3NM60N产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.2 x 2.4mm  
  典型关断延迟时间  23 ns  
  典型接通延迟时间  6 ns  
  典型输入电容值@Vds  188 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  9.5 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  50 W  
  最大连续漏极电流  3.3 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  1.8 Ω  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

STD3NM60N产品技术参数资料

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