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安装类型	表面贴装
长度	2.2mm
尺寸	2.2 x 1.35 x 1mm
典型关断延迟时间	12 ns
典型接通延迟时间	5 ns
典型输入电容值@Vds	33 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	0.5 nC
封装类型	SOT-363
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	1.35mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	445 mW
最大连续漏极电流	300 mA
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	2 Ω
最大栅阈值电压	2.1V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.1V
关键词

安装类型 表面贴装  Nexperia 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.2mm  Nexperia 长度 2.2mm  MOSFET 晶体管 长度 2.2mm  Nexperia MOSFET 晶体管 长度 2.2mm   尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm  Nexperia 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm  Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm   典型关断延迟时间 12 ns  Nexperia 典型关断延迟时间 12 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns   典型接通延迟时间 5 ns  Nexperia 典型接通延迟时间 5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5 ns   典型输入电容值@Vds 33 pF@ 10 V  Nexperia 典型输入电容值@Vds 33 pF@ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 33 pF@ 10 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 33 pF@ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC  Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC  Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC   封装类型 SOT-363  Nexperia 封装类型 SOT-363  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-363  Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-363   高度 1mm  Nexperia 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  Nexperia MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管材料 Si  Nexperia 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Nexperia 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.35mm  Nexperia 宽度 1.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm  Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm   每片芯片元件数目 2  Nexperia 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Nexperia 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Nexperia 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  Nexperia 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 445 mW  Nexperia 最大功率耗散 445 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 445 mW  Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 445 mW   最大连续漏极电流 300 mA  Nexperia 最大连续漏极电流 300 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 300 mA  Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 300 mA   最大漏源电压 60 V  Nexperia 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 2 Ω  Nexperia 最大漏源电阻值 2 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2 Ω  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2 Ω   最大栅阈值电压 2.1V  Nexperia 最大栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.1V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.1V   最大栅源电压 ±20 V  Nexperia 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Nexperia 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Nexperia 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.1V  Nexperia 最小栅阈值电压 1.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.1V  Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.1V  

• 2N7002BKS 60V 300mA dual N-channel Trench MOSFET