NTZD3155CT1G,780-4809,ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTZD3155CT1G, 450 mA,570 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTZD3155CT1G, 450 mA,570 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装

制造商零件编号:
NTZD3155CT1G
库存编号:
780-4809
ON Semiconductor NTZD3155CT1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTZD3155CT1G产品详细信息

双 N/P 通道 MOSFET,ON Semiconductor

NTZD3155CT1G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.7mm  
  尺寸  1.7 x 1.3 x 0.6mm  
  典型关断延迟时间  16 ns,35 ns  
  典型接通延迟时间  6 ns, 10 ns  
  典型输入电容值@Vds  105 pF@ -16 V,80 pF@ 16 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.1 nC @ 4.5 V,1.5 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-563  
  高度  0.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.3mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N,P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  280 mW  
  最大连续漏极电流  450 mA,570 mA  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  2 Ω,900 mΩ  
  最大栅阈值电压  1V  
  最大栅源电压  ±6 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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NTZD3155CT1G相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

NTZD3155CT1G产品技术参数资料

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