NTJD1155LT1G,780-0605,ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTJD1155LT1G, 1.3 A, Vds=8 V, 6引脚 SC-88封装 ,ON Semiconductor
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NTJD1155LT1G
ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTJD1155LT1G, 1.3 A, Vds=8 V, 6引脚 SC-88封装
制造商零件编号：
NTJD1155LT1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
780-0605
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NTJD1155LT1G产品详细信息
双 N/P 通道 MOSFET，ON Semiconductor
NTJD1155LT1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.2mm
尺寸
2.2 x 1.35 x 1mm
封装类型
SC-88
高度
1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
N+P 负载开关
宽度
1.35mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
2
通道类型
N，P
通道模式
增强
引脚数目
6
最大功率耗散
400 mW
最大连续漏极电流
1.3 A
最大漏源电压
8 V
最大漏源电阻值
320 mΩ
最大栅阈值电压
1V
最大栅源电压
8（N 沟道）V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
NTJD1155LT1G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.2mm
ON Semiconductor 长度 2.2mm
MOSFET 晶体管 长度 2.2mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 2.2mm
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
ON Semiconductor 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
封装类型 SC-88
ON Semiconductor 封装类型 SC-88
MOSFET 晶体管 封装类型 SC-88
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SC-88
高度 1mm
ON Semiconductor 高度 1mm
MOSFET 晶体管 高度 1mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1mm
晶体管材料 Si
ON Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 N+P 负载开关
ON Semiconductor 晶体管配置 N+P 负载开关
MOSFET 晶体管 晶体管配置 N+P 负载开关
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 N+P 负载开关
宽度 1.35mm
ON Semiconductor 宽度 1.35mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm
类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N，P
ON Semiconductor 通道类型 N，P
MOSFET 晶体管 通道类型 N，P
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N，P
通道模式 增强
ON Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 6
ON Semiconductor 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 6
最大功率耗散 400 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 400 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 400 mW
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 400 mW
最大连续漏极电流 1.3 A
ON Semiconductor 最大连续漏极电流 1.3 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.3 A
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.3 A
最大漏源电压 8 V
ON Semiconductor 最大漏源电压 8 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 8 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 8 V
最大漏源电阻值 320 mΩ
ON Semiconductor 最大漏源电阻值 320 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 320 mΩ
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 320 mΩ
最大栅阈值电压 1V
ON Semiconductor 最大栅阈值电压 1V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V
最大栅源电压 8（N 沟道）V
ON Semiconductor 最大栅源电压 8（N 沟道）V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 8（N 沟道）V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 8（N 沟道）V
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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NTJD1155LT1G产品技术参数资料
Datasheet
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