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安装类型	表面贴装
长度	2.2mm
尺寸	2.2 x 1.35 x 1mm
典型关断延迟时间	500 ns, 786 ns
典型接通延迟时间	13 ns, 83 ns
典型输入电容值@Vds	160 pF@ -8 V，33 pF@ 20 V
典型栅极电荷@Vgs	1.3 nC @ 4.5 V，2.2 nC @ 4.5 V
封装类型	SOT-363
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	1.35mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	2
通道类型	N，P
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	550 mW
最大连续漏极电流	1.1 A，910 mA
最大漏源电压	8 V，20 V
最大漏源电阻值	445 mΩ，900 mΩ
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	±12（N 沟道）V，±8（P 沟道）V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.2mm  ON Semiconductor 长度 2.2mm  MOSFET 晶体管 长度 2.2mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 2.2mm   尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm  ON Semiconductor 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm   典型关断延迟时间 500 ns, 786 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 500 ns, 786 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 500 ns, 786 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 500 ns, 786 ns   典型接通延迟时间 13 ns, 83 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 13 ns, 83 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns, 83 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns, 83 ns   典型输入电容值@Vds 160 pF@ -8 V，33 pF@ 20 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 160 pF@ -8 V，33 pF@ 20 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 160 pF@ -8 V，33 pF@ 20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 160 pF@ -8 V，33 pF@ 20 V   典型栅极电荷@Vgs 1.3 nC @ 4.5 V，2.2 nC @ 4.5 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 1.3 nC @ 4.5 V，2.2 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.3 nC @ 4.5 V，2.2 nC @ 4.5 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.3 nC @ 4.5 V，2.2 nC @ 4.5 V   封装类型 SOT-363  ON Semiconductor 封装类型 SOT-363  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-363  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-363   高度 1mm  ON Semiconductor 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  ON Semiconductor 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.35mm  ON Semiconductor 宽度 1.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm   类别 小信号  ON Semiconductor 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 2  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N，P  ON Semiconductor 通道类型 N，P  MOSFET 晶体管 通道类型 N，P  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N，P   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  ON Semiconductor 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 550 mW  ON Semiconductor 最大功率耗散 550 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 550 mW  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 550 mW   最大连续漏极电流 1.1 A，910 mA  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 1.1 A，910 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.1 A，910 mA  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.1 A，910 mA   最大漏源电压 8 V，20 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 8 V，20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 8 V，20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 8 V，20 V   最大漏源电阻值 445 mΩ，900 mΩ  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 445 mΩ，900 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 445 mΩ，900 mΩ  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 445 mΩ，900 mΩ   最大栅阈值电压 1.5V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V   最大栅源电压 ±12（N 沟道）V，±8（P 沟道）V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±12（N 沟道）V，±8（P 沟道）V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12（N 沟道）V，±8（P 沟道）V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12（N 沟道）V，±8（P 沟道）V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

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