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安装类型	表面贴装
长度	10.29mm
尺寸	10.29 x 9.65 x 4.83mm
典型关断延迟时间	43 ns
典型接通延迟时间	14 ns
典型输入电容值@Vds	1200 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs	33 nC @ 10 V
封装类型	D2PAK
高度	4.83mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	9.65mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	120 W
最大连续漏极电流	27 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	82 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±15（连续）V，±20（非重复）V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.29mm  ON Semiconductor 长度 10.29mm  MOSFET 晶体管 长度 10.29mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.29mm   尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm  ON Semiconductor 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm   典型关断延迟时间 43 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 43 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 43 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 43 ns   典型接通延迟时间 14 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 14 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns   典型输入电容值@Vds 1200 pF @ -25 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 1200 pF @ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1200 pF @ -25 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1200 pF @ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V   封装类型 D2PAK  ON Semiconductor 封装类型 D2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.83mm  ON Semiconductor 高度 4.83mm  MOSFET 晶体管 高度 4.83mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 4.83mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.65mm  ON Semiconductor 宽度 9.65mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm   类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  ON Semiconductor 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 120 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 120 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 120 W  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 120 W   最大连续漏极电流 27 A  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 27 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 27 A  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 27 A   最大漏源电压 60 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 82 mΩ  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 82 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 82 mΩ  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 82 mΩ   最大栅阈值电压 4V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±15（连续）V，±20（非重复）V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±15（连续）V，±20（非重复）V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±15（连续）V，±20（非重复）V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±15（连续）V，±20（非重复）V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  

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