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安装类型	表面贴装
长度	3.3mm
尺寸	3.3 x 3.3 x 1mm
典型关断延迟时间	4.2 ns
典型接通延迟时间	2.2 ns
典型输入电容值@Vds	400 pF @ 12.5 V
典型栅极电荷@Vgs	5.5 nC @ 4.5 V
封装类型	DFN
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.3mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MCP87
引脚数目	8
最大功率耗散	1.8 W
最大连续漏极电流	42 A
最大漏源电压	25 V
最大漏源电阻值	17.3 mΩ
最大栅阈值电压	1.7V
最大栅源电压	-8 V, 10 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Microchip 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Microchip MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.3mm  Microchip 长度 3.3mm  MOSFET 晶体管 长度 3.3mm  Microchip MOSFET 晶体管 长度 3.3mm   尺寸 3.3 x 3.3 x 1mm  Microchip 尺寸 3.3 x 3.3 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.3 x 3.3 x 1mm  Microchip MOSFET 晶体管 尺寸 3.3 x 3.3 x 1mm   典型关断延迟时间 4.2 ns  Microchip 典型关断延迟时间 4.2 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 4.2 ns  Microchip MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 4.2 ns   典型接通延迟时间 2.2 ns  Microchip 典型接通延迟时间 2.2 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.2 ns  Microchip MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.2 ns   典型输入电容值@Vds 400 pF @ 12.5 V  Microchip 典型输入电容值@Vds 400 pF @ 12.5 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 400 pF @ 12.5 V  Microchip MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 400 pF @ 12.5 V   典型栅极电荷@Vgs 5.5 nC @ 4.5 V  Microchip 典型栅极电荷@Vgs 5.5 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.5 nC @ 4.5 V  Microchip MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.5 nC @ 4.5 V   封装类型 DFN  Microchip 封装类型 DFN  MOSFET 晶体管 封装类型 DFN  Microchip MOSFET 晶体管 封装类型 DFN   高度 1mm  Microchip 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  Microchip MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管材料 Si  Microchip 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Microchip MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Microchip 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Microchip MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.3mm  Microchip 宽度 3.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.3mm  Microchip MOSFET 晶体管 宽度 3.3mm   类别 功率 MOSFET  Microchip 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Microchip MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Microchip 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Microchip MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Microchip 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Microchip MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Microchip 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Microchip MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 MCP87  Microchip 系列 MCP87  MOSFET 晶体管 系列 MCP87  Microchip MOSFET 晶体管 系列 MCP87   引脚数目 8  Microchip 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Microchip MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 1.8 W  Microchip 最大功率耗散 1.8 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.8 W  Microchip MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.8 W   最大连续漏极电流 42 A  Microchip 最大连续漏极电流 42 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 42 A  Microchip MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 42 A   最大漏源电压 25 V  Microchip 最大漏源电压 25 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 25 V  Microchip MOSFET 晶体管 最大漏源电压 25 V   最大漏源电阻值 17.3 mΩ  Microchip 最大漏源电阻值 17.3 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 17.3 mΩ  Microchip MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 17.3 mΩ   最大栅阈值电压 1.7V  Microchip 最大栅阈值电压 1.7V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.7V  Microchip MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.7V   最大栅源电压 -8 V, 10 V  Microchip 最大栅源电压 -8 V, 10 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -8 V, 10 V  Microchip MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -8 V, 10 V   最低工作温度 -55 °C  Microchip 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Microchip MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Microchip 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Microchip MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• Datasheet