FCD380N60E,774-1137,Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCD380N60E, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCD380N60E, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
FCD380N60E
库存编号：
774-1137
Fairchild Semiconductor FCD380N60E
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FCD380N60E产品详细信息

SuperFET? 和 SuperFET? II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET? II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。

FCD380N60E产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  64 ns  
  典型接通延迟时间  17 ns  
  典型输入电容值@Vds  1330 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  34 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.39mm  
  宽度  6.22mm  
  类别  高电压 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  106 W  
  最大连续漏极电流  10.2 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  380 mΩ  
  最大栅源电压  30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FCD380N60E产品技术参数资料

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