FCB20N60F_F085,774-1133,Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET FCB20N60F_F085, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263AB封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET FCB20N60F_F085, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263AB封装

制造商零件编号：
FCB20N60F_F085
库存编号：
774-1133
Fairchild Semiconductor FCB20N60F_F085
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FCB20N60F_F085产品详细信息

汽车 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。

FCB20N60F_F085产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  211 ns  
  典型接通延迟时间  43 ns  
  典型输入电容值@Vds  2305 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  78 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263AB  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  类别  高电压  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  405 W  
  最大连续漏极电流  20 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  0.511 Ω  
  最大栅源电压  30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
关键词         

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FCB20N60F_F085产品技术参数资料

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