MCH6602-TL-E,774-0825,ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET MCH6602-TL-E, 350 mA, Vds=30 V, 6引脚 MCPH封装 ,ON Semiconductor
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MCH6602-TL-E
ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET MCH6602-TL-E, 350 mA, Vds=30 V, 6引脚 MCPH封装
制造商零件编号：
MCH6602-TL-E
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
774-0825
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MCH6602-TL-E产品详细信息
双 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor
MCH6602-TL-E产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2mm
尺寸
2 x 1.6 x 0.85mm
典型关断延迟时间
155 ns
典型接通延迟时间
19 ns
典型输入电容值@Vds
7 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs
1.58 nC @ 10 V
封装类型
MCPH
高度
0.85mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
隔离式
宽度
1.6mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
2
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
6
最大功率耗散
800 mW
最大连续漏极电流
350 mA
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
12.8 Ω
最大栅阈值电压
1.3V
最大栅源电压
±10 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Wurth Elektronik 930件 铁氧体设计套件 823999
制造商零件编号：
823999
品牌：
Wurth Elektronik
库存编号：
762-2124
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2mm
ON Semiconductor 长度 2mm
MOSFET 晶体管 长度 2mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 2mm
尺寸 2 x 1.6 x 0.85mm
ON Semiconductor 尺寸 2 x 1.6 x 0.85mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.6 x 0.85mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.6 x 0.85mm
典型关断延迟时间 155 ns
ON Semiconductor 典型关断延迟时间 155 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 155 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 155 ns
典型接通延迟时间 19 ns
ON Semiconductor 典型接通延迟时间 19 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns
典型输入电容值@Vds 7 pF @ 10 V
ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 7 pF @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7 pF @ 10 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs 1.58 nC @ 10 V
ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 1.58 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.58 nC @ 10 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.58 nC @ 10 V
封装类型 MCPH
ON Semiconductor 封装类型 MCPH
MOSFET 晶体管 封装类型 MCPH
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 MCPH
高度 0.85mm
ON Semiconductor 高度 0.85mm
MOSFET 晶体管 高度 0.85mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.85mm
晶体管材料 Si
ON Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 隔离式
ON Semiconductor 晶体管配置 隔离式
MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式
宽度 1.6mm
ON Semiconductor 宽度 1.6mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm
类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
ON Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 6
ON Semiconductor 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 6
最大功率耗散 800 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 800 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 800 mW
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 800 mW
最大连续漏极电流 350 mA
ON Semiconductor 最大连续漏极电流 350 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 350 mA
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 350 mA
最大漏源电压 30 V
ON Semiconductor 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 12.8 Ω
ON Semiconductor 最大漏源电阻值 12.8 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12.8 Ω
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12.8 Ω
最大栅阈值电压 1.3V
ON Semiconductor 最大栅阈值电压 1.3V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V
最大栅源电压 ±10 V
ON Semiconductor 最大栅源电压 ±10 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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MCH6602-TL-E产品技术参数资料
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