FDMS86101DC,772-9203,Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86101DC, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86101DC, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装

制造商零件编号：
FDMS86101DC
库存编号：
772-9203
Fairchild Semiconductor FDMS86101DC
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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FDMS86101DC
库存编号:FDMS86101DCCT-ND		 onsemi MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL564661
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FDMS86101DC
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FDMS86101DC
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FDMS86101DC
库存编号:512-FDMS86101DC		 onsemi MOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET16243
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FDMS86101DC
库存编号:FDMS86101DC		 onsemi Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin Power 56 T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS86101DC)0
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FDMS86101DC
库存编号:2822537		 onsemi , MOSFET, N, 100V, 60A, COOL 56-88462
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FDMS86101DC
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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FDMS86101DConsemi100V, 60A, 7.5m??, N-Channel Power Trench MOSFET17
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FDMS86101DC
库存编号:FDMS86101DC		 onsemi Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 60A, 125W, DFN80
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FDMS86101DC产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor

FDMS86101DC产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5.1mm  
  尺寸  5.1 x 5.85 x 1.05mm  
  典型关断延迟时间  25 ns  
  典型接通延迟时间  14 ns  
  典型输入电容值@Vds  2354 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  31 nC @ 10 V  
  封装类型  Power 56  
  高度  1.05mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.85mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  60 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  13 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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FDMS86101DC相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5.1mm  Fairchild Semiconductor 长度 5.1mm  MOSFET 晶体管 长度 5.1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5.1mm   尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm   典型关断延迟时间 25 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 25 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns   典型接通延迟时间 14 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 14 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns   典型输入电容值@Vds 2354 pF@ 50 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 2354 pF@ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2354 pF@ 50 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2354 pF@ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V   封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor 封装类型 Power 56  MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56   高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.05mm  MOSFET 晶体管 高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.05mm   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.85mm  Fairchild Semiconductor 宽度 5.85mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.85mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 5.85mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 125 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 125 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W   最大连续漏极电流 60 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 60 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 60 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 60 A   最大漏源电压 100 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 13 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 13 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 13 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 13 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN

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MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN

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MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin Power 56 T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS86101DC)

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Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin Power 56 T/R - Cut TR (SOS) (Alt: FDMS86101DC/BKN)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin Power 56 T/R (Alt: FDMS86101DC)

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Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin Power 56 T/R

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MOSFET, N-CH, 100V, 60A, DUAL COOL 56-8

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FDMS86101DC
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PT5 100V/20V NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET.

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POWER, FET

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Fairchild/ON Semiconductor - FDMS86101DC - MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56

型号：FDMS86101DC
仓库库存编号：FDMS86101DCCT-ND
别名：FDMS86101DCCT <br>

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FDMS86101DC|FAIRCHILDFDMS86101DC
FAIRCHILD		Dual Cool 100 V, 60 A, 7.5 mΩ,PPAK S08
Rohs

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无图FDMS86101DC
FAIRCHILD		Dual Cool 100 V, 60 A, 7.5 mΩ,PPAK S08
Rohs

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FDMS86101DC|Fairchild SemiconductorFDMS86101DC
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
Rohs

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Fairchild Semiconductor - FDMS86101DC - Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86101DC, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
制造商零件编号：
FDMS86101DC
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
772-9203
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Fairchild Semiconductor - FDMS86101DC - Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86101DC, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
制造商零件编号：
FDMS86101DC
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
864-4857
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