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安装类型	表面贴装
长度	5.1mm
尺寸	5.1 x 5.85 x 1.05mm
典型关断延迟时间	35 ns
典型接通延迟时间	28 ns
典型输入电容值@Vds	4730 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs	66 nC @ 10 V
封装类型	Power 56
高度	1.05mm
宽度	5.85mm
类别	同步整流
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	96 W
最大连续漏极电流	50 A, 105 A
最大漏源电压	80 V
最大漏源电阻值	7.2 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5.1mm  Fairchild Semiconductor 长度 5.1mm  MOSFET 晶体管 长度 5.1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5.1mm   尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm   典型关断延迟时间 35 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 35 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns   典型接通延迟时间 28 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 28 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 28 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 28 ns   典型输入电容值@Vds 4730 pF @ 40 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 4730 pF @ 40 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4730 pF @ 40 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4730 pF @ 40 V   典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V   封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor 封装类型 Power 56  MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56   高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.05mm  MOSFET 晶体管 高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.05mm   宽度 5.85mm  Fairchild Semiconductor 宽度 5.85mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.85mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 5.85mm   类别 同步整流  Fairchild Semiconductor 类别 同步整流  MOSFET 晶体管 类别 同步整流  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 同步整流   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 96 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 96 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 96 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 96 W   最大连续漏极电流 50 A, 105 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 50 A, 105 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A, 105 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A, 105 A   最大漏源电压 80 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 80 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V   最大漏源电阻值 7.2 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 7.2 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7.2 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7.2 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• FDMS86310, N-Channel PowerTrench MOSFET 80V 50A 4.8 milliohm