FDMS86310,772-9200,Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86310, 50 A, 105 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86310, 50 A, 105 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装

制造商零件编号:
FDMS86310
库存编号:
772-9200
Fairchild Semiconductor FDMS86310
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDMS86310产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor

FDMS86310产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5.1mm  
  尺寸  5.1 x 5.85 x 1.05mm  
  典型关断延迟时间  35 ns  
  典型接通延迟时间  28 ns  
  典型输入电容值@Vds  4730 pF @ 40 V  
  典型栅极电荷@Vgs  66 nC @ 10 V  
  封装类型  Power 56  
  高度  1.05mm  
  宽度  5.85mm  
  类别  同步整流  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  96 W  
  最大连续漏极电流  50 A, 105 A  
  最大漏源电压  80 V  
  最大漏源电阻值  7.2 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

FDMS86310相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5.1mm  Fairchild Semiconductor 长度 5.1mm  MOSFET 晶体管 长度 5.1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5.1mm   尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm   典型关断延迟时间 35 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 35 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 35 ns   典型接通延迟时间 28 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 28 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 28 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 28 ns   典型输入电容值@Vds 4730 pF @ 40 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 4730 pF @ 40 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4730 pF @ 40 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4730 pF @ 40 V   典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V   封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor 封装类型 Power 56  MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56   高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.05mm  MOSFET 晶体管 高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.05mm   宽度 5.85mm  Fairchild Semiconductor 宽度 5.85mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.85mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 5.85mm   类别 同步整流  Fairchild Semiconductor 类别 同步整流  MOSFET 晶体管 类别 同步整流  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 同步整流   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 96 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 96 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 96 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 96 W   最大连续漏极电流 50 A, 105 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 50 A, 105 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A, 105 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A, 105 A   最大漏源电压 80 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 80 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V   最大漏源电阻值 7.2 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 7.2 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7.2 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7.2 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号