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安装类型	表面贴装
长度	5.1mm
尺寸	5.1 x 5.85 x 1.05mm
典型关断延迟时间	45 ns
典型接通延迟时间	13 ns
典型输入电容值@Vds	4350 pF@ 13 V
典型栅极电荷@Vgs	68 nC @ 10 V
封装类型	Power 56
高度	1.05mm
宽度	5.85mm
类别	直流/直流转换器
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	69 W
最大连续漏极电流	70 A
最大漏源电压	25 V
最大漏源电阻值	2.8 mΩ
最大栅源电压	12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.1V
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5.1mm  Fairchild Semiconductor 长度 5.1mm  MOSFET 晶体管 长度 5.1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5.1mm   尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm   典型关断延迟时间 45 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 45 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns   典型接通延迟时间 13 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns   典型输入电容值@Vds 4350 pF@ 13 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 4350 pF@ 13 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4350 pF@ 13 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4350 pF@ 13 V   典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V   封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor 封装类型 Power 56  MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56   高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.05mm  MOSFET 晶体管 高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.05mm   宽度 5.85mm  Fairchild Semiconductor 宽度 5.85mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.85mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 5.85mm   类别 直流/直流转换器  Fairchild Semiconductor 类别 直流/直流转换器  MOSFET 晶体管 类别 直流/直流转换器  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 直流/直流转换器   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 69 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 69 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 69 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 69 W   最大连续漏极电流 70 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 70 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 70 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 70 A   最大漏源电压 25 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 25 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 25 V   最大漏源电阻值 2.8 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 2.8 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.8 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.8 mΩ   最大栅源电压 12 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 12 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 12 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.1V  

• FDMS8560S, N-Channel PowerTrench SyncFET 25V 70A 1.8 milliohm