FDMS3686S,772-9183,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3686S, 13 A，23 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3686S, 13 A，23 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装

制造商零件编号：
FDMS3686S
库存编号：
772-9183
Fairchild Semiconductor FDMS3686S
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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FDMS3686S产品详细信息

PowerTrench? 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

FDMS3686S产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5.1mm  
  尺寸  5.1 x 6.1 x 1.05mm  
  典型关断延迟时间  20 ns、23 ns  
  典型接通延迟时间  8.2 (Q1) ns, 9 (Q2) ns  
  典型输入电容值@Vds  1340 pF@ 15 V, 1820 pF@ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  21 nC @ 10 V，27 nC @ 10 V  
  封装类型  Power 56  
  高度  1.05mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  串行  
  宽度  6.1mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2.2 W，2.5 W  
  最大连续漏极电流  13 A，23 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  4 mΩ, 10.8 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.1V  
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安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5.1mm  Fairchild Semiconductor 长度 5.1mm  MOSFET 晶体管 长度 5.1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5.1mm   尺寸 5.1 x 6.1 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5.1 x 6.1 x 1.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 6.1 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5.1 x 6.1 x 1.05mm   典型关断延迟时间 20 ns、23 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 20 ns、23 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns、23 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns、23 ns   典型接通延迟时间 8.2 (Q1) ns, 9 (Q2) ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 8.2 (Q1) ns, 9 (Q2) ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.2 (Q1) ns, 9 (Q2) ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.2 (Q1) ns, 9 (Q2) ns   典型输入电容值@Vds 1340 pF@ 15 V, 1820 pF@ 15 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 1340 pF@ 15 V, 1820 pF@ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1340 pF@ 15 V, 1820 pF@ 15 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1340 pF@ 15 V, 1820 pF@ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V，27 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V，27 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V，27 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V，27 nC @ 10 V   封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor 封装类型 Power 56  MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56   高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.05mm  MOSFET 晶体管 高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.05mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 串行  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 串行  MOSFET 晶体管 晶体管配置 串行  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 串行   宽度 6.1mm  Fairchild Semiconductor 宽度 6.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 6.1mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 2.2 W，2.5 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 2.2 W，2.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.2 W，2.5 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.2 W，2.5 W   最大连续漏极电流 13 A，23 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 13 A，23 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 13 A，23 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 13 A，23 A   最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 4 mΩ, 10.8 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 4 mΩ, 10.8 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4 mΩ, 10.8 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4 mΩ, 10.8 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.1V  
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MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN

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MOSFET 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R (Alt: FDMS3686S)

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Trans MOSFET N-CH 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS3686S)

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DUAL N-CHANNEL POWER TRENCH MO

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Dual N-Channel 30 V 11/4 mOhm 14/18 nC 2.2/2.5 W PowerTrench Mosfet - POWER 56-8

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Fairchild/ON Semiconductor - FDMS3686S - MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56

型号：FDMS3686S
仓库库存编号：FDMS3686SCT-ND
别名：FDMS3686SCT <br>

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FDMS3686S|Fairchild SemiconductorFDMS3686S
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
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Fairchild Semiconductor - FDMS3686S - Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3686S, 13 A，23 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
制造商零件编号：
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品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
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