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安装类型	表面贴装
长度	6.73mm
尺寸	6.73 x 6.22 x 2.39mm
典型关断延迟时间	20 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	213 pF@ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	3.7 nC @ 10 V
封装类型	DPAK
高度	2.39mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.22mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	PowerTrench
引脚数目	3
最大功率耗散	29 W
最大连续漏极电流	5.5 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	170 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Fairchild Semiconductor 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   典型关断延迟时间 20 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns   典型接通延迟时间 10 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 213 pF@ 50 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 213 pF@ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 213 pF@ 50 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 213 pF@ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 3.7 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 3.7 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.7 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.7 nC @ 10 V   封装类型 DPAK  Fairchild Semiconductor 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.39mm  Fairchild Semiconductor 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Fairchild Semiconductor 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 29 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 29 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 29 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 29 W   最大连续漏极电流 5.5 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 5.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.5 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.5 A   最大漏源电压 100 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 170 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 170 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 170 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 170 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• FDD86113LZ, N-Channel PowerTrench MOSFET 100V 5.5A 104 milliohm