FDD86113LZ,772-9130,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86113LZ, 5.5 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86113LZ, 5.5 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
FDD86113LZ
库存编号:
772-9130
Fairchild Semiconductor FDD86113LZ
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDD86113LZ产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor

FDD86113LZ产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  20 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  213 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  3.7 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  29 W  
  最大连续漏极电流  5.5 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  170 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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