DMN21D2UFB-7B,770-5119,DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN21D2UFB-7B, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 X1-DFN1006封装 ,DiodesZetex
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DMN21D2UFB-7B
DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN21D2UFB-7B, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 X1-DFN1006封装
制造商零件编号:
DMN21D2UFB-7B
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
770-5119
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DMN21D2UFB-7B产品详细信息
N 通道 MOSFET,12V 至 28V,Diodes Inc
DMN21D2UFB-7B产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.08mm
尺寸
1.075 x 0.675 x 0.48mm
典型关断延迟时间
19.6 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
典型输入电容值@Vds
27.6 pF @ 16 V
典型栅极电荷@Vgs
0.93 nC @ 10 V
封装类型
X1-DFN1006
高度
0.48mm
宽度
0.675mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
900 mW
最大连续漏极电流
760 mA
最大漏源电压
20 V
最大漏源电阻值
3 Ω
最大栅源电压
±12 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
DMN21D2UFB-7B相关搜索
安装类型 表面贴装
DiodesZetex 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 1.08mm
DiodesZetex 长度 1.08mm
MOSFET 晶体管 长度 1.08mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 1.08mm
尺寸 1.075 x 0.675 x 0.48mm
DiodesZetex 尺寸 1.075 x 0.675 x 0.48mm
MOSFET 晶体管 尺寸 1.075 x 0.675 x 0.48mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 1.075 x 0.675 x 0.48mm
典型关断延迟时间 19.6 ns
DiodesZetex 典型关断延迟时间 19.6 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19.6 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19.6 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
DiodesZetex 典型接通延迟时间 3.5 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.5 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.5 ns
典型输入电容值@Vds 27.6 pF @ 16 V
DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 27.6 pF @ 16 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 27.6 pF @ 16 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 27.6 pF @ 16 V
典型栅极电荷@Vgs 0.93 nC @ 10 V
DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 0.93 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.93 nC @ 10 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.93 nC @ 10 V
封装类型 X1-DFN1006
DiodesZetex 封装类型 X1-DFN1006
MOSFET 晶体管 封装类型 X1-DFN1006
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 X1-DFN1006
高度 0.48mm
DiodesZetex 高度 0.48mm
MOSFET 晶体管 高度 0.48mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 0.48mm
宽度 0.675mm
DiodesZetex 宽度 0.675mm
MOSFET 晶体管 宽度 0.675mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 0.675mm
类别 功率 MOSFET
DiodesZetex 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
DiodesZetex 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
DiodesZetex 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
DiodesZetex 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 900 mW
DiodesZetex 最大功率耗散 900 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 900 mW
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 900 mW
最大连续漏极电流 760 mA
DiodesZetex 最大连续漏极电流 760 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 760 mA
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 760 mA
最大漏源电压 20 V
DiodesZetex 最大漏源电压 20 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V
最大漏源电阻值 3 Ω
DiodesZetex 最大漏源电阻值 3 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3 Ω
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3 Ω
最大栅源电压 ±12 V
DiodesZetex 最大栅源电压 ±12 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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DMN21D2UFB-7B产品技术参数资料
DMN21D2UFB, 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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新加坡2号品牌选型
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