DMG7430LFG-7,770-5115,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG7430LFG-7, 10.5 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装 ,DiodesZetex
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DMG7430LFG-7
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG7430LFG-7, 10.5 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
制造商零件编号:
DMG7430LFG-7
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
770-5115
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DMG7430LFG-7产品详细信息
N 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc
DMG7430LFG-7产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.35mm
尺寸
3.35 x 3.35 x 0.85mm
典型关断延迟时间
22.3 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
典型输入电容值@Vds
1281 pF@ 15 V
典型栅极电荷@Vgs
26.7 nC @ 10 V
封装类型
POWERDI3333
高度
0.85mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
3.35mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
8
最大功率耗散
2.2 W
最大连续漏极电流
10.5 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
15 mΩ
最大栅阈值电压
2V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
DMG7430LFG-7相关搜索
安装类型 表面贴装
DiodesZetex 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.35mm
DiodesZetex 长度 3.35mm
MOSFET 晶体管 长度 3.35mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 3.35mm
尺寸 3.35 x 3.35 x 0.85mm
DiodesZetex 尺寸 3.35 x 3.35 x 0.85mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3.35 x 3.35 x 0.85mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 3.35 x 3.35 x 0.85mm
典型关断延迟时间 22.3 ns
DiodesZetex 典型关断延迟时间 22.3 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 22.3 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 22.3 ns
典型接通延迟时间 5.2 ns
DiodesZetex 典型接通延迟时间 5.2 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.2 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.2 ns
典型输入电容值@Vds 1281 pF@ 15 V
DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 1281 pF@ 15 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1281 pF@ 15 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1281 pF@ 15 V
典型栅极电荷@Vgs 26.7 nC @ 10 V
DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 26.7 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 26.7 nC @ 10 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 26.7 nC @ 10 V
封装类型 POWERDI3333
DiodesZetex 封装类型 POWERDI3333
MOSFET 晶体管 封装类型 POWERDI3333
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 POWERDI3333
高度 0.85mm
DiodesZetex 高度 0.85mm
MOSFET 晶体管 高度 0.85mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 0.85mm
晶体管材料 Si
DiodesZetex 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
DiodesZetex 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.35mm
DiodesZetex 宽度 3.35mm
MOSFET 晶体管 宽度 3.35mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 3.35mm
类别 功率 MOSFET
DiodesZetex 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
DiodesZetex 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
DiodesZetex 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 8
DiodesZetex 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 2.2 W
DiodesZetex 最大功率耗散 2.2 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.2 W
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最大连续漏极电流 10.5 A
DiodesZetex 最大连续漏极电流 10.5 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 10.5 A
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最大漏源电压 30 V
DiodesZetex 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
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最大漏源电阻值 15 mΩ
DiodesZetex 最大漏源电阻值 15 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 15 mΩ
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最大栅阈值电压 2V
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MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V
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最大栅源电压 ±20 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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DMG7430LFG-7产品技术参数资料
DMG7430LFG, N-Channel Enhancement Mode MOSFET POWERDI
Datasheet
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新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
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