ZXMC3A16DN8TA,770-3393,DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET ZXMC3A16DN8TA, 5.4 A,6.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET ZXMC3A16DN8TA, 5.4 A,6.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
ZXMC3A16DN8TA
库存编号:
770-3393
DiodesZetex ZXMC3A16DN8TA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

ZXMC3A16DN8TA产品详细信息

双 N/P 通道 MOSFET,Diodes Inc.

ZXMC3A16DN8TA产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  21.6 ns  
  典型接通延迟时间  3 ns  
  典型输入电容值@Vds  796 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  10 V 时,17.5 常闭  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N,P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2.1 W  
  最大连续漏极电流  5.4 A,6.4 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  50 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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