SiHP30N60E-GE3,768-9348,Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Vishay
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
SiHP30N60E-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
768-9348
Vishay SiHP30N60E-GE3
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SIHP30N60E-GE3
库存编号:SIHP30N60E-GE3-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB0
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SIHP30N60E-E3
库存编号:781-SIHP30N60E-E3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB3807
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250+
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SIHP30N60E-GE3
库存编号:78-SIHP30N60E-GE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB951
1起订		1+
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SIHP30N60E-GE3
库存编号:SIHP30N60E-GE3		 Vishay Intertechnologies N-CHANNEL 600V - Tape and Reel (Alt: SIHP30N60E-GE3)0
1000起订		1000+
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￥34
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SIHP30N60E-GE3
库存编号:2364087		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, 600V, 29A, TO-2200
1起订		1+
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SIHP30N60E-GE3
库存编号:SIHP30N60E-GE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB0
50起订		50+
500+
1000+
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SiHP30N60E-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。

特点

低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻（RDS（接通））
超低栅极电荷 (Qg)
快速切换
减少切换和传导损耗

SiHP30N60E-GE3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.51mm  
  尺寸  10.51 x 4.65 x 15.49mm  
  典型关断延迟时间  63 ns  
  典型接通延迟时间  19 ns  
  典型输入电容值@Vds  2600 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  85 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  15.49mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  E Series  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  250 W  
  最大连续漏极电流  29 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  125 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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SiHP30N60E-GE3配套附件

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SiHP30N60E-GE3相关搜索

安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.51mm  Vishay 长度 10.51mm  MOSFET 晶体管 长度 10.51mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.51mm   尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm  Vishay 尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm   典型关断延迟时间 63 ns  Vishay 典型关断延迟时间 63 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 63 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 63 ns   典型接通延迟时间 19 ns  Vishay 典型接通延迟时间 19 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns   典型输入电容值@Vds 2600 pF @ 100 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 2600 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2600 pF @ 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2600 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V   封装类型 TO-220AB  Vishay 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 15.49mm  Vishay 高度 15.49mm  MOSFET 晶体管 高度 15.49mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 15.49mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.65mm  Vishay 宽度 4.65mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.65mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 4.65mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 E Series  Vishay 系列 E Series  MOSFET 晶体管 系列 E Series  Vishay MOSFET 晶体管 系列 E Series   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 250 W  Vishay 最大功率耗散 250 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 250 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 250 W   最大连续漏极电流 29 A  Vishay 最大连续漏极电流 29 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 29 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 29 A   最大漏源电压 600 V  Vishay 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 125 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 125 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

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MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

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MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

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MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

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Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: SIHP30N60E-GE3)

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MOSFET, N-CH, 600V, 29A, TO-220

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MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-220AB-3

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E-Series N-Channel 600 V 0.125 O 130 nC Flange Mount Power Mosfet- TO-220AB

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MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

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SIHP30N60E-GE3|VISHAYSIHP30N60E-GE3
VISHAY		E-系列 N 沟道 600 V 0.125 Ohm 法兰安装 高压 功率 MOSfet- TO-220AB
Rohs

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SIHP30N60E-GE3|VISHAYSIHP30N60E-GE3
VISHAY		E-系列 N 沟道 600 V 0.125 Ohm 法兰安装 高压 功率 MOSfet- TO-220AB
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SIHP30N60E-GE3|VISHAY SILICONIXSIHP30N60E-GE3
VISHAY SILICONIX		MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
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Vishay Siliconix - SIHP30N60E-GE3 - MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc）

型号：SIHP30N60E-GE3
仓库库存编号：SIHP30N60E-GE3CT-ND
别名：SIHP30N60E-GE3CT <br>

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SIHP30N60E-GE3.
VISHAY SIHP30N60E-GE3.		2311566

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-220AB-3

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SIHP30N60E-GE3
VISHAY SIHP30N60E-GE3		2364087

VISHAY

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SiHP30N60E-GE3 - Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
SiHP30N60E-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
768-9348
搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SiHP30N60E-GE3产品技术参数资料

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