SIHG30N60E-E3,768-9338,Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装 ,Vishay
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装

制造商零件编号：
SIHG30N60E-E3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
768-9338
Vishay SIHG30N60E-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SIHG30N60E-E3产品详细信息

N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。

特点

低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻（RDS（接通））
超低栅极电荷 (Qg)
快速切换
减少切换和传导损耗

SIHG30N60E-E3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 5.31 x 20.7mm  
  典型关断延迟时间  63 ns  
  典型接通延迟时间  19 ns  
  典型输入电容值@Vds  2600 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  85 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247AC  
  高度  20.7mm  
  宽度  5.31mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  E Series  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  250 W  
  最大连续漏极电流  29 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  125 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

SIHG30N60E-E3配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

SIHG30N60E-E3相关搜索

安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.87mm  Vishay 长度 15.87mm  MOSFET 晶体管 长度 15.87mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 15.87mm   尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm  Vishay 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm  MOSFET 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm   典型关断延迟时间 63 ns  Vishay 典型关断延迟时间 63 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 63 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 63 ns   典型接通延迟时间 19 ns  Vishay 典型接通延迟时间 19 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns   典型输入电容值@Vds 2600 pF @ 100 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 2600 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2600 pF @ 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2600 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V   封装类型 TO-247AC  Vishay 封装类型 TO-247AC  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AC  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AC   高度 20.7mm  Vishay 高度 20.7mm  MOSFET 晶体管 高度 20.7mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 20.7mm   宽度 5.31mm  Vishay 宽度 5.31mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.31mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 5.31mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 E Series  Vishay 系列 E Series  MOSFET 晶体管 系列 E Series  Vishay MOSFET 晶体管 系列 E Series   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 250 W  Vishay 最大功率耗散 250 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 250 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 250 W   最大连续漏极电流 29 A  Vishay 最大连续漏极电流 29 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 29 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 29 A   最大漏源电压 600 V  Vishay 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 125 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 125 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIHG30N60E-E3产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号