BS170_D26Z,761-3596,Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BS170_D26Z, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装 ,Fairchild Semiconductor
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BS170_D26Z
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BS170_D26Z, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
BS170_D26Z
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3596
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BS170_D26Z产品详细信息
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
BS170_D26Z产品技术参数
安装类型
通孔
长度
5.2mm
尺寸
5.2 x 4.19 x 5.33mm
典型输入电容值@Vds
24 pF@ 10 V
封装类型
TO-92
高度
5.33mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.19mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
830 mW
最大连续漏极电流
500 mA
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
5 Ω
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
0.8V
关键词
BS170_D26Z相关搜索
安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 5.2mm
Fairchild Semiconductor 长度 5.2mm
MOSFET 晶体管 长度 5.2mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5.2mm
尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
典型输入电容值@Vds 24 pF@ 10 V
Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 24 pF@ 10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 24 pF@ 10 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 24 pF@ 10 V
封装类型 TO-92
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-92
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
高度 5.33mm
Fairchild Semiconductor 高度 5.33mm
MOSFET 晶体管 高度 5.33mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 5.33mm
晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.19mm
Fairchild Semiconductor 宽度 4.19mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.19mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.19mm
类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Fairchild Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 830 mW
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 830 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 830 mW
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 830 mW
最大连续漏极电流 500 mA
Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 500 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 500 mA
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 500 mA
最大漏源电压 60 V
Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 5 Ω
Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 5 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 5 Ω
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 5 Ω
最大栅源电压 ±20 V
Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 0.8V
Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 0.8V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.8V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.8V
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BS170_D26Z产品技术参数资料
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