RFD16N05LSM9A,761-3574,Fairchild Semiconductor MegaFET 系列 N沟道 Si MOSFET RFD16N05LSM9A, 16 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252AA封装 ,Fairchild Semiconductor
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RFD16N05LSM9A
Fairchild Semiconductor MegaFET 系列 N沟道 Si MOSFET RFD16N05LSM9A, 16 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252AA封装
制造商零件编号:
RFD16N05LSM9A
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3574
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
RFD16N05LSM9A产品详细信息
MegaFET MOSFET,Fairchild Semiconductor
MegaFET 工艺使用接近 LSI 集成电路的特征尺寸,对硅进行了最佳利用,从而获得出色的性能。
RFD16N05LSM9A产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.73mm
尺寸
6.73 x 6.22 x 2.39mm
典型关断延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
14 ns
典型栅极电荷@Vgs
80 nC @ 10 V
封装类型
TO-252AA
高度
2.39mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
6.22mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
MegaFET
引脚数目
3
最大功率耗散
60 W
最大连续漏极电流
16 A
最大漏源电压
50 V
最大漏源电阻值
47 mΩ
最大栅源电压
±10 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
RFD16N05LSM9A配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号:
B82801B0205A100
品牌:
EPCOS
库存编号:
871-1613
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安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.73mm
Fairchild Semiconductor 长度 6.73mm
MOSFET 晶体管 长度 6.73mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 6.73mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
典型关断延迟时间 42 ns
Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 42 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 14 ns
Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 14 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns
典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V
Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V
封装类型 TO-252AA
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-252AA
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252AA
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252AA
高度 2.39mm
Fairchild Semiconductor 高度 2.39mm
MOSFET 晶体管 高度 2.39mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 2.39mm
晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 6.22mm
Fairchild Semiconductor 宽度 6.22mm
MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm
类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Fairchild Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 MegaFET
Fairchild Semiconductor 系列 MegaFET
MOSFET 晶体管 系列 MegaFET
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 MegaFET
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 60 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 60 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 60 W
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 60 W
最大连续漏极电流 16 A
Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 16 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 16 A
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 16 A
最大漏源电压 50 V
Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 50 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 50 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 50 V
最大漏源电阻值 47 mΩ
Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 47 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 47 mΩ
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 47 mΩ
最大栅源电压 ±10 V
Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±10 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V
最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 1V
Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
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RFD16N05LSM9A产品技术参数资料
Datasheet
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