BUZ11_NR4941,761-3515,Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BUZ11_NR4941, 30 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BUZ11_NR4941, 30 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
BUZ11_NR4941
库存编号：
761-3515
Fairchild Semiconductor BUZ11_NR4941
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

BUZ11_NR4941产品详细信息

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

BUZ11_NR4941产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 16.51mm  
  典型关断延迟时间  180 ns  
  典型接通延迟时间  30 ns  
  典型输入电容值@Vds  1500 pF@ 25 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  16.51mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  75 W  
  最大连续漏极电流  30 A  
  最大漏源电压  50 V  
  最大漏源电阻值  40 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BUZ11_NR4941产品技术参数资料

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