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安装类型	表面贴装
长度	6.7mm
尺寸	6.7 x 3.7 x 1.6mm
典型关断延迟时间	13 ns
典型接通延迟时间	4 ns
典型输入电容值@Vds	105 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	4 nC @ 10 V
封装类型	SOT-223
高度	1.6mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	STripFET
引脚数目	3+Tab
最大功率耗散	2.5 W
最大连续漏极电流	1 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	800 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• N-Channel 100V - 0.7 Ohm - 1A - SOT-223 STripFET(TM) II POWER MOSFET