STD17NF25,761-2701,STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD17NF25, 17 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics

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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD17NF25, 17 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：: STD17NF25
制造商：: STMicroelectronics STMicroelectronics
库存编号：: 761-2701

STMicroelectronics

STMicroelectronics STD17NF25

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STD17NF25产品详细信息

N 通道 STripFET? II，STMicroelectronics

STripFET? MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STD17NF25配套附件

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操作

EPCOS 20A 表面贴装电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号：
B82801B0205A100
品牌：
EPCOS
库存编号：
871-1613
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安装类型表面贴装 STMicroelectronics 安装类型表面贴装 MOSFET 晶体管安装类型表面贴装 STMicroelectronics MOSFET 晶体管安装类型表面贴装长度 6.6mm STMicroelectronics 长度 6.6mm MOSFET 晶体管长度 6.6mm STMicroelectronics MOSFET 晶体管长度 6.6mm 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm STMicroelectronics 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm MOSFET 晶体管尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm STMicroelectronics MOSFET 晶体管尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm 典型关断延迟时间 21 ns STMicroelectronics 典型关断延迟时间 21 ns MOSFET 晶体管典型关断延迟时间 21 ns STMicroelectronics MOSFET 晶体管典型关断延迟时间 21 ns 典型接通延迟时间 8.8 ns STMicroelectronics 典型接通延迟时间 8.8 ns MOSFET 晶体管典型接通延迟时间 8.8 ns STMicroelectronics MOSFET 晶体管典型接通延迟时间 8.8 ns 典型输入电容值@Vds 1000 pF@ 25 V STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 1000 pF@ 25 V MOSFET 晶体管典型输入电容值@Vds 1000 pF@ 25 V STMicroelectronics MOSFET 晶体管典型输入电容值@Vds 1000 pF@ 25 V 典型栅极电荷@Vgs 29.5 nC @ 10 V STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 29.5 nC @ 10 V MOSFET 晶体管典型栅极电荷@Vgs 29.5 nC @ 10 V STMicroelectronics MOSFET 晶体管典型栅极电荷@Vgs 29.5 nC @ 10 V 封装类型 DPAK STMicroelectronics 封装类型 DPAK MOSFET 晶体管封装类型 DPAK STMicroelectronics MOSFET 晶体管封装类型 DPAK 高度 2.4mm STMicroelectronics 高度 2.4mm MOSFET 晶体管高度 2.4mm STMicroelectronics MOSFET 晶体管高度 2.4mm 晶体管材料 Si STMicroelectronics 晶体管材料 Si MOSFET 晶体管晶体管材料 Si STMicroelectronics MOSFET 晶体管晶体管材料 Si 晶体管配置单 STMicroelectronics 晶体管配置单 MOSFET 晶体管晶体管配置单 STMicroelectronics MOSFET 晶体管晶体管配置单宽度 6.2mm STMicroelectronics 宽度 6.2mm MOSFET 晶体管宽度 6.2mm STMicroelectronics MOSFET 晶体管宽度 6.2mm 类别功率 MOSFET STMicroelectronics 类别功率 MOSFET MOSFET 晶体管类别功率 MOSFET STMicroelectronics MOSFET 晶体管类别功率 MOSFET 每片芯片元件数目 1 STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1 MOSFET 晶体管每片芯片元件数目 1 STMicroelectronics MOSFET 晶体管每片芯片元件数目 1 通道类型 N STMicroelectronics 通道类型 N MOSFET 晶体管通道类型 N STMicroelectronics MOSFET 晶体管通道类型 N 通道模式增强 STMicroelectronics 通道模式增强 MOSFET 晶体管通道模式增强 STMicroelectronics MOSFET 晶体管通道模式增强系列 STripFET II STMicroelectronics 系列 STripFET II MOSFET 晶体管系列 STripFET II STMicroelectronics MOSFET 晶体管系列 STripFET II 引脚数目 3 STMicroelectronics 引脚数目 3 MOSFET 晶体管引脚数目 3 STMicroelectronics MOSFET 晶体管引脚数目 3 最大功率耗散 90 W STMicroelectronics 最大功率耗散 90 W MOSFET 晶体管最大功率耗散 90 W STMicroelectronics MOSFET 晶体管最大功率耗散 90 W 最大连续漏极电流 17 A STMicroelectronics 最大连续漏极电流 17 A MOSFET 晶体管最大连续漏极电流 17 A STMicroelectronics MOSFET 晶体管最大连续漏极电流 17 A 最大漏源电压 250 V STMicroelectronics 最大漏源电压 250 V MOSFET 晶体管最大漏源电压 250 V STMicroelectronics MOSFET 晶体管最大漏源电压 250 V 最大漏源电阻值 165 mΩ STMicroelectronics 最大漏源电阻值 165 mΩ MOSFET 晶体管最大漏源电阻值 165 mΩ STMicroelectronics MOSFET 晶体管最大漏源电阻值 165 mΩ 最大栅阈值电压 4V STMicroelectronics 最大栅阈值电压 4V MOSFET 晶体管最大栅阈值电压 4V STMicroelectronics MOSFET 晶体管最大栅阈值电压 4V 最大栅源电压 ±20 V STMicroelectronics 最大栅源电压 ±20 V MOSFET 晶体管最大栅源电压 ±20 V STMicroelectronics MOSFET 晶体管最大栅源电压 ±20 V 最低工作温度 -55 °C STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C MOSFET 晶体管最低工作温度 -55 °C STMicroelectronics MOSFET 晶体管最低工作温度 -55 °C 最高工作温度 +150 °C STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C MOSFET 晶体管最高工作温度 +150 °C STMicroelectronics MOSFET 晶体管最高工作温度 +150 °C 最小栅阈值电压 2V STMicroelectronics 最小栅阈值电压 2V MOSFET 晶体管最小栅阈值电压 2V STMicroelectronics MOSFET 晶体管最小栅阈值电压 2V

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
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STD17NF25产品技术参数资料

N-channel 250 V, 0.14 Ohm, 17 A, TO-220 STripFET(TM) II Power MOSFET

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