STU8N65M5,761-0610,STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STU8N65M5, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STU8N65M5, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装

制造商零件编号：
STU8N65M5
库存编号：
761-0610
STMicroelectronics STU8N65M5
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STU8N65M5产品详细信息

N 通道 MDmesh? M5 系列，STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

STU8N65M5产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 2.4 x 6.9mm  
  典型关断延迟时间  50 ns  
  典型输入电容值@Vds  690 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-251  
  高度  6.9mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh M5  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  70 W  
  最大连续漏极电流  7 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  600 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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