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安装类型	表面贴装
长度	4.75mm
尺寸	4.75 x 5.75 x 0.88mm
典型关断延迟时间	90 ns
典型接通延迟时间	19 ns
典型输入电容值@Vds	5900 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	45 nC @ 4.5 V
封装类型	PowerFLAT
高度	0.88mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.75mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	STripFET V
引脚数目	8
最大功率耗散	80 W
最大连续漏极电流	140 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	3.1 mΩ
最大栅源电压	±22 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

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• N-channel 40 V, 0.00275 Ohm, 32 A, PowerFLAT(TM) 5x6 STripFET(TM) V Power MOSFET