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安装类型	表面贴装
长度	15.25mm
尺寸	15.25 x 10.4 x 4.8mm
典型关断延迟时间	99.9 ns
典型接通延迟时间	25.6 ns
典型输入电容值@Vds	6665 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	114.6 nC @ 10 V
封装类型	H2PAK-6
高度	4.8mm
宽度	10.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	STripFET F3
引脚数目	8
最大功率耗散	315 W
最大连续漏极电流	180 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	4.5 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 15.25mm  STMicroelectronics 长度 15.25mm  MOSFET 晶体管 长度 15.25mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 15.25mm   尺寸 15.25 x 10.4 x 4.8mm  STMicroelectronics 尺寸 15.25 x 10.4 x 4.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 15.25 x 10.4 x 4.8mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 15.25 x 10.4 x 4.8mm   典型关断延迟时间 99.9 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 99.9 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 99.9 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 99.9 ns   典型接通延迟时间 25.6 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 25.6 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25.6 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25.6 ns   典型输入电容值@Vds 6665 pF @ 25 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 6665 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6665 pF @ 25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6665 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 114.6 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 114.6 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 114.6 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 114.6 nC @ 10 V   封装类型 H2PAK-6  STMicroelectronics 封装类型 H2PAK-6  MOSFET 晶体管 封装类型 H2PAK-6  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 H2PAK-6   高度 4.8mm  STMicroelectronics 高度 4.8mm  MOSFET 晶体管 高度 4.8mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 4.8mm   宽度 10.4mm  STMicroelectronics 宽度 10.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 10.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 10.4mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 STripFET F3  STMicroelectronics 系列 STripFET F3  MOSFET 晶体管 系列 STripFET F3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 STripFET F3   引脚数目 8  STMicroelectronics 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 315 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 315 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 315 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 315 W   最大连续漏极电流 180 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 180 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 180 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 180 A   最大漏源电压 100 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 4.5 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 4.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.5 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.5 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  

• N-channel 100 V, 3.9 mOhm, 180 A, H2PAK-6 STripFET(TM) III Power MOSFET