STH180N10F3-6,761-0519,STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH180N10F3-6, 180 A, Vds=100 V, 8引脚 H2PAK-6封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH180N10F3-6, 180 A, Vds=100 V, 8引脚 H2PAK-6封装

制造商零件编号:
STH180N10F3-6
库存编号:
761-0519
STMicroelectronics STH180N10F3-6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STH180N10F3-6产品详细信息

N 通道 STripFET? F3,STMicroelectronics

STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STH180N10F3-6产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  15.25mm  
  尺寸  15.25 x 10.4 x 4.8mm  
  典型关断延迟时间  99.9 ns  
  典型接通延迟时间  25.6 ns  
  典型输入电容值@Vds  6665 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  114.6 nC @ 10 V  
  封装类型  H2PAK-6  
  高度  4.8mm  
  宽度  10.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET F3  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  315 W  
  最大连续漏极电流  180 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  4.5 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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