STF5N52K3,761-0477,STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STF5N52K3, 4.4 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,STMicroelectronics
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
STF5N52K3
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STF5N52K3, 4.4 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220FP封装
制造商零件编号:
STF5N52K3
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
761-0477
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STF5N52K3产品详细信息
N 通道 MDmesh? K3 系列,SuperMESH3?, STMicroelectronics
STF5N52K3产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.4mm
尺寸
10.4 x 4.6 x 16.4mm
典型关断延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
9 ns
典型输入电容值@Vds
545 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs
17 nC @ 10 V
封装类型
TO-220FP
高度
16.4mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.6mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
MDmesh K3, SuperMESH3
引脚数目
3
最大功率耗散
25 W
最大连续漏极电流
4.4 A
最大漏源电压
525 V
最大漏源电阻值
1.5 Ω
最大栅阈值电压
4.5V
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
3V
关键词
STF5N52K3配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad K6 电子散热垫 SPK6-0.006-00-54, 1.1W/m·K, 19.05 x 12.7mm, 0.152mm厚
制造商零件编号:
SPK6-0.006-00-54
品牌:
Bergquist
库存编号:
707-3355
搜索
Bergquist Hi-Flow 650P 自粘 电子散热垫 HF650P-0.001-01-00-43, 1.5W/m·K, 0.001in厚
制造商零件编号:
HF650P-0.001-01-00-43
品牌:
Bergquist
库存编号:
752-4897
搜索
STF5N52K3相关搜索
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.4mm
STMicroelectronics 长度 10.4mm
MOSFET 晶体管 长度 10.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm
尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm
STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm
典型关断延迟时间 29 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 29 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 29 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 9 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 9 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns
典型输入电容值@Vds 545 pF@ 10 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 545 pF@ 10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 545 pF@ 10 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 545 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 10 V
封装类型 TO-220FP
STMicroelectronics 封装类型 TO-220FP
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP
高度 16.4mm
STMicroelectronics 高度 16.4mm
MOSFET 晶体管 高度 16.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 16.4mm
晶体管材料 Si
STMicroelectronics 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.6mm
STMicroelectronics 宽度 4.6mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
STMicroelectronics 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 MDmesh K3, SuperMESH3
STMicroelectronics 系列 MDmesh K3, SuperMESH3
MOSFET 晶体管 系列 MDmesh K3, SuperMESH3
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 MDmesh K3, SuperMESH3
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 25 W
STMicroelectronics 最大功率耗散 25 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 25 W
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 25 W
最大连续漏极电流 4.4 A
STMicroelectronics 最大连续漏极电流 4.4 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.4 A
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.4 A
最大漏源电压 525 V
STMicroelectronics 最大漏源电压 525 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 525 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 525 V
最大漏源电阻值 1.5 Ω
STMicroelectronics 最大漏源电阻值 1.5 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.5 Ω
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.5 Ω
最大栅阈值电压 4.5V
STMicroelectronics 最大栅阈值电压 4.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V
最大栅源电压 ±30 V
STMicroelectronics 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
最低工作温度 -55 °C
STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 3V
STMicroelectronics 最小栅阈值电压 3V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
STF5N52K3产品技术参数资料
N-channel 525 V, 1.2 Ohm, 4.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET DPAK
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号