关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	9.6mm
尺寸	9.6 x 9.5 x 3.75mm
典型关断延迟时间	138 ns
典型接通延迟时间	18 ns
典型输入电容值@Vds	7055 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	109 nC @ 10 V
封装类型	PowerSO
高度	3.75mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	9.5mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	STripFET
引脚数目	10
最大功率耗散	300 W
最大连续漏极电流	280 A
最大漏源电压	24 V
最大漏源电阻值	1 mΩ
最大栅阈值电压	2V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 9.6mm  STMicroelectronics 长度 9.6mm  MOSFET 晶体管 长度 9.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 9.6mm   尺寸 9.6 x 9.5 x 3.75mm  STMicroelectronics 尺寸 9.6 x 9.5 x 3.75mm  MOSFET 晶体管 尺寸 9.6 x 9.5 x 3.75mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 9.6 x 9.5 x 3.75mm   典型关断延迟时间 138 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 138 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 138 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 138 ns   典型接通延迟时间 18 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 18 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns   典型输入电容值@Vds 7055 pF @ 15 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 7055 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7055 pF @ 15 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7055 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 109 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 109 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 109 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 109 nC @ 10 V   封装类型 PowerSO  STMicroelectronics 封装类型 PowerSO  MOSFET 晶体管 封装类型 PowerSO  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 PowerSO   高度 3.75mm  STMicroelectronics 高度 3.75mm  MOSFET 晶体管 高度 3.75mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 3.75mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.5mm  STMicroelectronics 宽度 9.5mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.5mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 9.5mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 STripFET  STMicroelectronics 系列 STripFET  MOSFET 晶体管 系列 STripFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 STripFET   引脚数目 10  STMicroelectronics 引脚数目 10  MOSFET 晶体管 引脚数目 10  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 10   最大功率耗散 300 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 300 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 W   最大连续漏极电流 280 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 280 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 280 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 280 A   最大漏源电压 24 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 24 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 24 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 24 V   最大漏源电阻值 1 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 1 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1 mΩ   最大栅阈值电压 2V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V   最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• N-channel 24 V, 0.8 mOhm, 120 A PowerSO-10