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安装类型	通孔
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 2.4 x 6.9mm
典型关断延迟时间	26 ns
典型接通延迟时间	7 ns
典型输入电容值@Vds	363 pF@ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	14 nC @ 10 V
封装类型	TO-251
高度	6.9mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh
引脚数目	3
最大功率耗散	45 W
最大连续漏极电流	5 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	900 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±25 V
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm, DPAK second generation MDmesh(TM) Power MOSFET