STP23NM50N,761-0077,STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP23NM50N, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
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STP23NM50N
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP23NM50N, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
STP23NM50N
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
761-0077
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STP23NM50N产品详细信息
N 通道 MDmesh?,500V,STMicroelectronics
STP23NM50N产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.4mm
尺寸
10.4 x 4.6 x 15.75mm
典型关断延迟时间
71 ns
典型接通延迟时间
6.6 ns
典型输入电容值@Vds
1330 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs
45 nC @ 10 V
封装类型
TO-220
高度
15.75mm
宽度
4.6mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
MDmesh
引脚数目
3
最大功率耗散
125 W
最大连续漏极电流
17 A
最大漏源电压
500 V
最大漏源电阻值
190 mΩ
最大栅源电压
±25 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
STP23NM50N配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad K6 电子散热垫 SPK6-0.006-00-54, 1.1W/m·K, 19.05 x 12.7mm, 0.152mm厚
制造商零件编号:
SPK6-0.006-00-54
品牌:
Bergquist
库存编号:
707-3355
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制造商零件编号:
HF650P-0.001-01-00-43
品牌:
Bergquist
库存编号:
752-4897
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安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.4mm
STMicroelectronics 长度 10.4mm
MOSFET 晶体管 长度 10.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm
尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
典型关断延迟时间 71 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 71 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 71 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 6.6 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 6.6 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.6 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.6 ns
典型输入电容值@Vds 1330 pF @ 50 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 1330 pF @ 50 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1330 pF @ 50 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1330 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V
封装类型 TO-220
STMicroelectronics 封装类型 TO-220
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
高度 15.75mm
STMicroelectronics 高度 15.75mm
MOSFET 晶体管 高度 15.75mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 15.75mm
宽度 4.6mm
STMicroelectronics 宽度 4.6mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
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通道模式 增强
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系列 MDmesh
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引脚数目 3
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最高工作温度 +150 °C
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MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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STP23NM50N产品技术参数资料
N-channel 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, TO-247 MDmesh(TM) II Power MOSFET
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