STP160N75F3,761-0027,STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STP160N75F3, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STP160N75F3, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
STP160N75F3
库存编号：
761-0027
STMicroelectronics STP160N75F3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STP160N75F3产品详细信息

N 通道 STripFET? F3，STMicroelectronics

STripFET? MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STP160N75F3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 4.6 x 15.75mm  
  典型关断延迟时间  100 ns  
  典型接通延迟时间  22 ns  
  典型输入电容值@Vds  6750 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  85 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.75mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.6mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET F3  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  330 W  
  最大连续漏极电流  120 A  
  最大漏源电压  75 V  
  最大漏源电阻值  4 Ω  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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