STP15NM60ND,761-0023,STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP15NM60ND, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
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STP15NM60ND
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP15NM60ND, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
STP15NM60ND
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
761-0023
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STP15NM60ND产品详细信息
N 通道 FDmesh? 功率 MOSFET,STMicroelectronics
STP15NM60ND产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.4mm
尺寸
10.4 x 4.6 x 15.75mm
典型关断延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
17 ns
典型输入电容值@Vds
1250 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs
40 nC @ 10 V
封装类型
TO-220
高度
15.75mm
宽度
4.6mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
FDmesh
引脚数目
3
最大功率耗散
125 W
最大连续漏极电流
14 A
最大漏源电压
600 V
最大漏源电阻值
299 mΩ
最大栅源电压
±25 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
STP15NM60ND配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad K6 电子散热垫 SPK6-0.006-00-54, 1.1W/m·K, 19.05 x 12.7mm, 0.152mm厚
制造商零件编号:
SPK6-0.006-00-54
品牌:
Bergquist
库存编号:
707-3355
搜索
Bergquist Hi-Flow 650P 自粘 电子散热垫 HF650P-0.001-01-00-43, 1.5W/m·K, 0.001in厚
制造商零件编号:
HF650P-0.001-01-00-43
品牌:
Bergquist
库存编号:
752-4897
搜索
STP15NM60ND相关搜索
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.4mm
STMicroelectronics 长度 10.4mm
MOSFET 晶体管 长度 10.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm
尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm
典型关断延迟时间 47 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 47 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 47 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 17 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 17 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns
典型输入电容值@Vds 1250 pF @ 50 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 1250 pF @ 50 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1250 pF @ 50 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1250 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V
封装类型 TO-220
STMicroelectronics 封装类型 TO-220
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
高度 15.75mm
STMicroelectronics 高度 15.75mm
MOSFET 晶体管 高度 15.75mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 15.75mm
宽度 4.6mm
STMicroelectronics 宽度 4.6mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
STMicroelectronics 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 FDmesh
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MOSFET 晶体管 系列 FDmesh
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引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 125 W
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最大连续漏极电流 14 A
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最大漏源电压 600 V
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最大漏源电阻值 299 mΩ
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最高工作温度 +150 °C
STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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STP15NM60ND产品技术参数资料
N-channel 600 V - 0.27 Ohm - 14 A - FDmesh II Power MOSFET D2PAK - Power MOSFET
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英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
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