STD6N62K3,760-9922,STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
STD6N62K3
库存编号:
760-9922
STMicroelectronics STD6N62K3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STD6N62K3产品详细信息

N 通道 MDmesh? K3 系列,SuperMESH3?, STMicroelectronics

STD6N62K3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.2 x 2.4mm  
  典型关断延迟时间  49 ns  
  典型接通延迟时间  22 ns  
  典型输入电容值@Vds  875 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  34 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.4mm  
  宽度  6.2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh K3, SuperMESH3  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  90 W  
  最大连续漏极电流  5.5 A  
  最大漏源电压  620 V  
  最大漏源电阻值  1.2 Ω  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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