STB19NF20,760-9834,STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB19NF20, 15 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装 ,STMicroelectronics
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STB19NF20
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB19NF20, 15 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号:
STB19NF20
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
760-9834
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STB19NF20产品详细信息
N 通道 STripFET?,STMicroelectronics
STB19NF20产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.75mm
尺寸
10.75 x 10.4 x 4.6mm
典型关断延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
11.5 ns
典型输入电容值@Vds
800 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
24 nC @ 10 V
封装类型
D2PAK
高度
4.6mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
10.4mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
STripFET
引脚数目
3
最大功率耗散
90 W
最大连续漏极电流
15 A
最大漏源电压
200 V
最大漏源电阻值
160 mΩ
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
STB19NF20配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
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制造商零件编号:
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品牌:
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库存编号:
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制造商零件编号:
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品牌:
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MOSFET 晶体管 长度 10.75mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.75mm
尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
STMicroelectronics 尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
典型关断延迟时间 19 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 19 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 11.5 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 11.5 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11.5 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11.5 ns
典型输入电容值@Vds 800 pF @ 25 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 800 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 800 pF @ 25 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 800 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V
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封装类型 D2PAK
STMicroelectronics 封装类型 D2PAK
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高度 4.6mm
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晶体管材料 Si
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晶体管配置 单
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宽度 10.4mm
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最小栅阈值电压 2V
STMicroelectronics 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
STB19NF20产品技术参数资料
N-channel 200V - 0.15Ohm - 15A - TO-220 - D2PAK
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
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