STB14NM50N,760-9815,STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-263封装 ,STMicroelectronics
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STB14NM50N
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-263封装
制造商零件编号:
STB14NM50N
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
760-9815
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STB14NM50N产品详细信息
N 通道 MDmesh?,500V,STMicroelectronics
STB14NM50N产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.75mm
尺寸
10.75 x 10.4 x 4.6mm
典型关断延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
10.2 ns
典型输入电容值@Vds
816 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs
10 V 时,27 常闭
封装类型
TO-263
高度
4.6mm
宽度
10.4mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
MDmesh
引脚数目
3
最大功率耗散
90 W
最大连续漏极电流
12 A
最大漏源电压
500 V
最大漏源电阻值
320 mΩ
最大栅源电压
±25 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
STB14NM50N配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fischer Elektronik 银色 散热器 FK 244 08 D2 PAK, 29.3K/W, 焊接安装, 26 x 8 x 10mm
制造商零件编号:
FK 244 08 D2 PAK
品牌:
Fischer Elektronik
库存编号:
698-8105
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安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 10.75mm
STMicroelectronics 长度 10.75mm
MOSFET 晶体管 长度 10.75mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.75mm
尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
STMicroelectronics 尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
典型关断延迟时间 42 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 42 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 10.2 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 10.2 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.2 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.2 ns
典型输入电容值@Vds 816 pF @ 50 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 816 pF @ 50 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 816 pF @ 50 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 816 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs 10 V 时,27 常闭
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 10 V 时,27 常闭
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 V 时,27 常闭
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 V 时,27 常闭
封装类型 TO-263
STMicroelectronics 封装类型 TO-263
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263
高度 4.6mm
STMicroelectronics 高度 4.6mm
MOSFET 晶体管 高度 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 4.6mm
宽度 10.4mm
STMicroelectronics 宽度 10.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 10.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 10.4mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
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STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
STMicroelectronics 通道模式 增强
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系列 MDmesh
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引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 90 W
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最大连续漏极电流 12 A
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最高工作温度 +150 °C
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STB14NM50N产品技术参数资料
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK
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