STB11NK40ZT4,760-9809,STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB11NK40ZT4, 9 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-263封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB11NK40ZT4, 9 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
STB11NK40ZT4
库存编号：
760-9809
STMicroelectronics STB11NK40ZT4
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STB11NK40ZT4产品详细信息

N 通道 MDmesh? SuperMESH?，250V 至 650V，STMicroelectronics

STB11NK40ZT4产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.75mm  
  尺寸  10.75 x 10.4 x 4.6mm  
  典型关断延迟时间  40 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  930 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  32 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  10.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh, SuperMESH  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  110 W  
  最大连续漏极电流  9 A  
  最大漏源电压  400 V  
  最大漏源电阻值  0.55 Ω  
  最大栅阈值电压  4.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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STB11NK40ZT4配套附件

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STB11NK40ZT4相关搜索

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