STW34NM60ND,760-9792,STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
STW34NM60ND
库存编号：
760-9792
STMicroelectronics STW34NM60ND
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STW34NM60ND产品详细信息

N 通道 FDmesh? 功率 MOSFET，STMicroelectronics

STW34NM60ND产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.75mm  
  尺寸  15.75 x 5.15 x 20.15mm  
  典型关断延迟时间  111 ns  
  典型接通延迟时间  30 ns  
  典型输入电容值@Vds  2785 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  80.4 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.15mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.15mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  FDmesh  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  190 W  
  最大连续漏极电流  29 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  110 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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