STP5NK52ZD,760-9711,STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP5NK52ZD, 4.4 A, Vds=520 V, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP5NK52ZD, 4.4 A, Vds=520 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
STP5NK52ZD
库存编号：
760-9711
STMicroelectronics STP5NK52ZD
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STP5NK52ZD
库存编号:497-STP5NK52ZD-ND		 STMicroelectronics MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220AB1316
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STP5NK52ZD
库存编号:511-STP5NK52ZD		 STMicroelectronics MOSFETs N Ch 520V Zener SuperMESH1181
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STP5NK52ZD
库存编号:STP5NK52ZD		 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 520V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: STP5NK52ZD)0
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STP5NK52ZD
库存编号:87858061		 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 520V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube0
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STP5NK52ZD
库存编号:STP5NK52ZD		 STMicroelectronics Transistor: N-MOSFET, unipolar, 520V, 2.7A, Idm: 17.6A, 70W, TO220-3140
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STP5NK52ZD产品详细信息

N 通道 MDmesh? SuperMESH?，250V 至 650V，STMicroelectronics

STP5NK52ZD产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 4.6 x 15.75mm  
  典型关断延迟时间  23.1 ns  
  典型接通延迟时间  11.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  529 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  16.9 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.75mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.6mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh, SuperMESH  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  70 W  
  最大连续漏极电流  4.4 A  
  最大漏源电压  520 V  
  最大漏源电阻值  1.5 Ω  
  最大栅阈值电压  4.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  MOSFET 晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm   典型关断延迟时间 23.1 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 23.1 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 23.1 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 23.1 ns   典型接通延迟时间 11.4 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 11.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11.4 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11.4 ns   典型输入电容值@Vds 529 pF@ 25 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 529 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 529 pF@ 25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 529 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 16.9 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 16.9 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16.9 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16.9 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  STMicroelectronics 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.75mm  STMicroelectronics 高度 15.75mm  MOSFET 晶体管 高度 15.75mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 15.75mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.6mm  STMicroelectronics 宽度 4.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 MDmesh, SuperMESH  STMicroelectronics 系列 MDmesh, SuperMESH  MOSFET 晶体管 系列 MDmesh, SuperMESH  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 MDmesh, SuperMESH   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 70 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 70 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 70 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 70 W   最大连续漏极电流 4.4 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 4.4 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.4 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.4 A   最大漏源电压 520 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 520 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 520 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 520 V   最大漏源电阻值 1.5 Ω  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 1.5 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.5 Ω  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.5 Ω   最大栅阈值电压 4.5V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 4.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V   最大栅源电压 ±30 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.5V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  
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STP5NK52ZD
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MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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STP5NK52ZD
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MOSFET N Ch 520V Zener SuperMESH

RoHS: Compliant

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STP5NK52ZD
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Trans MOSFET N-CH 520V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube (Alt: STP5NK52ZD)

RoHS: Compliant

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STP5NK52ZD
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 520V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: STP5NK52ZD)

RoHS: Compliant

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STMicroelectronics - STP5NK52ZD - MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 25W（Tc） TO-220AB

型号：STP5NK52ZD
仓库库存编号：497-5953-5-ND
别名：497-5953-5 <br>

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STP5NK52ZD|STMicroelectronicsSTP5NK52ZD
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STP5NK52ZD - STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP5NK52ZD, 4.4 A, Vds=520 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号：
STP5NK52ZD
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
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STP5NK52ZD|STMicroelectronicsSTP5NK52ZD
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220
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