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安装类型	通孔
典型关断延迟时间	80 ns
典型接通延迟时间	25 ns
典型输入电容值@Vds	2500 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	70 nC @ 10 V
封装类型	I2PAK
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	160 W
最大连续漏极电流	19 A
最大漏源电压	710 V
最大漏源电阻值	190 mΩ
最大栅源电压	±25 V
关键词

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• N-channel 650 V - 0.16 Y - 19 A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 N-channel 650 V - 0.16 Y - 19 A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247