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安装类型	表面贴装
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 6.2 x 2.4mm
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	20 ns
典型输入电容值@Vds	3650 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	62 nC @ 10 V
封装类型	TO-252
高度	2.4mm
宽度	6.2mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	DeepGate, STripFET
引脚数目	3
最大功率耗散	110 W
最大连续漏极电流	80 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	3 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

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• N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET