STD120N4LF6,760-9538,STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD120N4LF6, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD120N4LF6, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
STD120N4LF6
库存编号:
760-9538
STMicroelectronics STD120N4LF6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STD120N4LF6产品详细信息

N 通道 STripFET? DeepGate?,STMicroelectronics

STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STD120N4LF6产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.2 x 2.4mm  
  典型关断延迟时间  125 ns  
  典型接通延迟时间  15 ns  
  典型输入电容值@Vds  4300 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  80 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  DeepGate, STripFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  110 W  
  最大连续漏极电流  80 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  5 mΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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