STB34NM60ND,760-9519,STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装 ,STMicroelectronics
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
STB34NM60ND
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
制造商零件编号:
STB34NM60ND
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
760-9519
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STB34NM60ND产品详细信息
N 通道 FDmesh? 功率 MOSFET,STMicroelectronics
STB34NM60ND产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.75mm
尺寸
10.75 x 10.4 x 4.6mm
典型关断延迟时间
111 ns
典型接通延迟时间
30 ns
典型输入电容值@Vds
2785 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs
80.4 nC @ 10 V
封装类型
TO-263
高度
4.6mm
宽度
10.4mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
FDmesh
引脚数目
3
最大功率耗散
190 W
最大连续漏极电流
29 A
最大漏源电压
600 V
最大漏源电阻值
110 mΩ
最大栅源电压
±25 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
STB34NM60ND配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fischer Elektronik 银色 散热器 FK 244 08 D2 PAK, 29.3K/W, 焊接安装, 26 x 8 x 10mm
制造商零件编号:
FK 244 08 D2 PAK
品牌:
Fischer Elektronik
库存编号:
698-8105
搜索
STB34NM60ND相关搜索
安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 10.75mm
STMicroelectronics 长度 10.75mm
MOSFET 晶体管 长度 10.75mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.75mm
尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
STMicroelectronics 尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
典型关断延迟时间 111 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 111 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 111 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 111 ns
典型接通延迟时间 30 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 30 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns
典型输入电容值@Vds 2785 pF @ 50 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 2785 pF @ 50 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2785 pF @ 50 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2785 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs 80.4 nC @ 10 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 80.4 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 80.4 nC @ 10 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 80.4 nC @ 10 V
封装类型 TO-263
STMicroelectronics 封装类型 TO-263
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263
高度 4.6mm
STMicroelectronics 高度 4.6mm
MOSFET 晶体管 高度 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 4.6mm
宽度 10.4mm
STMicroelectronics 宽度 10.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 10.4mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 10.4mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
STMicroelectronics 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 FDmesh
STMicroelectronics 系列 FDmesh
MOSFET 晶体管 系列 FDmesh
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 FDmesh
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 190 W
STMicroelectronics 最大功率耗散 190 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 190 W
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 190 W
最大连续漏极电流 29 A
STMicroelectronics 最大连续漏极电流 29 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 29 A
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 29 A
最大漏源电压 600 V
STMicroelectronics 最大漏源电压 600 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V
最大漏源电阻值 110 mΩ
STMicroelectronics 最大漏源电阻值 110 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 110 mΩ
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 110 mΩ
最大栅源电压 ±25 V
STMicroelectronics 最大栅源电压 ±25 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V
最高工作温度 +150 °C
STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
STB34NM60ND产品技术参数资料
N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) D2PAK
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号