STB24NM60N,760-9499,STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB24NM60N, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB24NM60N, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
STB24NM60N
库存编号：
760-9499
STMicroelectronics STB24NM60N
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STB24NM60N产品详细信息

N 通道 MDmesh?，600V/650V，STMicroelectronics

STB24NM60N产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.75mm  
  尺寸  10.75 x 10.4 x 4.6mm  
  典型关断延迟时间  73 ns  
  典型接通延迟时间  11.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  1400 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  46 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  10.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  17 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  0.19 Ω  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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