STB155N3H6,760-9480,STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB155N3H6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装 ,STMicroelectronics
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STB155N3H6
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB155N3H6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
制造商零件编号:
STB155N3H6
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
760-9480
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STB155N3H6产品详细信息
N 通道 STripFET? DeepGate?,STMicroelectronics
STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
STB155N3H6产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.75mm
尺寸
10.75 x 10.4 x 4.6mm
典型关断延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
20 ns
典型输入电容值@Vds
3650 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
62 nC @ 10 V
封装类型
TO-263
高度
4.6mm
宽度
10.4mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
DeepGate, STripFET
引脚数目
3
最大功率耗散
110 W
最大连续漏极电流
80 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
3 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
STB155N3H6配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fischer Elektronik 银色 散热器 FK 244 08 D2 PAK, 29.3K/W, 焊接安装, 26 x 8 x 10mm
制造商零件编号:
FK 244 08 D2 PAK
品牌:
Fischer Elektronik
库存编号:
698-8105
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安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 10.75mm
STMicroelectronics 长度 10.75mm
MOSFET 晶体管 长度 10.75mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.75mm
尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
STMicroelectronics 尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm
典型关断延迟时间 50 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 50 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 50 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 20 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns
典型输入电容值@Vds 3650 pF @ 25 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 3650 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3650 pF @ 25 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3650 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V
封装类型 TO-263
STMicroelectronics 封装类型 TO-263
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263
高度 4.6mm
STMicroelectronics 高度 4.6mm
MOSFET 晶体管 高度 4.6mm
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宽度 10.4mm
STMicroelectronics 宽度 10.4mm
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类别 功率 MOSFET
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STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
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通道模式 增强
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系列 DeepGate, STripFET
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引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 110 W
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最大连续漏极电流 80 A
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MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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STB155N3H6产品技术参数资料
N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
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