FDT86256,760-5942,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86256, 3 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86256, 3 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
FDT86256
库存编号:
760-5942
Fairchild Semiconductor FDT86256
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDT86256产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor

FDT86256产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.7mm  
  尺寸  6.7 x 3.7 x 1.7mm  
  典型关断延迟时间  4.8 ns  
  典型接通延迟时间  2.7 ns  
  典型输入电容值@Vds  55 pF@ 75 V  
  典型栅极电荷@Vgs  1.2 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.7mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  10 W  
  最大连续漏极电流  3 A  
  最大漏源电压  150 V  
  最大漏源电阻值  1.367 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDT86256产品技术参数资料

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