FDP083N15A_F102,760-5936,Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP083N15A_F102, 105 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP083N15A_F102, 105 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
FDP083N15A_F102
库存编号：
760-5936
Fairchild Semiconductor FDP083N15A_F102
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDP083N15A_F102产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor

FDP083N15A_F102产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 4.672 x 15.215mm  
  典型关断延迟时间  61 ns  
  典型接通延迟时间  22 ns  
  典型输入电容值@Vds  4645 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  64.5 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.215mm  
  宽度  4.672mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  231 W  
  最大连续漏极电流  105 A  
  最大漏源电压  150 V  
  最大漏源电阻值  8.3 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDP083N15A_F102产品技术参数资料

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