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安装类型	通孔
长度	10.29mm
尺寸	10.29 x 4.83 x 9.65mm
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	23 ns
典型输入电容值@Vds	3960 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	57 nC @ 10 V
封装类型	TO-262
高度	9.65mm
宽度	4.83mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	263 W
最大连续漏极电流	164 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	4.5 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.29mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.29mm  MOSFET 晶体管 长度 10.29mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.29mm   尺寸 10.29 x 4.83 x 9.65mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.29 x 4.83 x 9.65mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.29 x 4.83 x 9.65mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.29 x 4.83 x 9.65mm   典型关断延迟时间 50 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 50 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 50 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 50 ns   典型接通延迟时间 23 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 23 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 23 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 23 ns   典型输入电容值@Vds 3960 pF @ 50 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 3960 pF @ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3960 pF @ 50 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3960 pF @ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 57 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 57 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 57 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 57 nC @ 10 V   封装类型 TO-262  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-262  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-262  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-262   高度 9.65mm  Fairchild Semiconductor 高度 9.65mm  MOSFET 晶体管 高度 9.65mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 9.65mm   宽度 4.83mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 263 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 263 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 263 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 263 W   最大连续漏极电流 164 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 164 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 164 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 164 A   最大漏源电压 100 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 4.5 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 4.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.5 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 4.5 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  

• FDP045N10A_F102/FDI045N10A_F102, PowerTrench 100V N-Channel MOSFET