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安装类型	表面贴装
长度	3.3mm
尺寸	3.3 x 3.3 x 1mm
典型关断延迟时间	57 ns
典型接通延迟时间	7.5 ns
典型输入电容值@Vds	3620 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	52 nC @ 4.5 V
封装类型	PQFN
高度	1mm
宽度	3.3mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HEXFET
引脚数目	8
最大功率耗散	37 W
最大连续漏极电流	40 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	3.5 mΩ
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  International Rectifier 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  International Rectifier MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.3mm  International Rectifier 长度 3.3mm  MOSFET 晶体管 长度 3.3mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 长度 3.3mm   尺寸 3.3 x 3.3 x 1mm  International Rectifier 尺寸 3.3 x 3.3 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.3 x 3.3 x 1mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 尺寸 3.3 x 3.3 x 1mm   典型关断延迟时间 57 ns  International Rectifier 典型关断延迟时间 57 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 57 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 57 ns   典型接通延迟时间 7.5 ns  International Rectifier 典型接通延迟时间 7.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.5 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.5 ns   典型输入电容值@Vds 3620 pF @ 10 V  International Rectifier 典型输入电容值@Vds 3620 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3620 pF @ 10 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3620 pF @ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 4.5 V  International Rectifier 典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 4.5 V   封装类型 PQFN  International Rectifier 封装类型 PQFN  MOSFET 晶体管 封装类型 PQFN  International Rectifier MOSFET 晶体管 封装类型 PQFN   高度 1mm  International Rectifier 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 高度 1mm   宽度 3.3mm  International Rectifier 宽度 3.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.3mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 宽度 3.3mm   类别 功率 MOSFET  International Rectifier 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  International Rectifier MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  International Rectifier 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  International Rectifier MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  International Rectifier 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  International Rectifier 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  International Rectifier 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  International Rectifier MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 8  International Rectifier 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  International Rectifier MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 37 W  International Rectifier 最大功率耗散 37 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 37 W  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大功率耗散 37 W   最大连续漏极电流 40 A  International Rectifier 最大连续漏极电流 40 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 40 A  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 40 A   最大漏源电压 20 V  International Rectifier 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 3.5 mΩ  International Rectifier 最大漏源电阻值 3.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.5 mΩ  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.5 mΩ   最大栅源电压 ±12 V  International Rectifier 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  International Rectifier 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  International Rectifier 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• IRLHM620PbF, HEXFET Power MOSFET